IPI111N15N3 G,IPI111N15N3 G|Infineon Technologies代理分销-IPI111N15N3G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 83A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11.1 毫欧 @ 83A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 160µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3230pF @ 75V |
| 功率 - 最大值 | 214W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
