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IPI06CN10N G
- 场效应管 MOSFET N沟道 100A 100V PG-TO262-3 - IPI06CN10NG
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IPI06CN10N G
制造商型号:
IPI06CN10N G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 100A 100V PG-TO262-3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 100A 100V PG-TO262-3
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 100A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS(上): 5mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 214W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-262
针脚数: 3
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管类型: 功率MOSFET
漏极电流, Id 最大值: 100A
电压, Vgs 最高: 20V
手机网站相关详细信息:
IPI06CN10N G
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
IPI06CN10N G
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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IPI06CN10N G
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业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00之前的订单当日发货,17:00之后的订单次日发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰快递。快递费用:23元。
*所需产品:
型号: IPI06CN10N G 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 100A 100V PG-TO262-3
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Q Q:
800152669
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