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IPI030N10N3 G|Infineon Technologies
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IPI030N10N3 G
制造商型号: IPI030N10N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IPP,IPI030N10N3 G
产品相片 TO-262-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)14800pF @ 50V
功率 - 最大值300W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称SP000469884

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