IPI023NE7N3 G,IPI023NE7N3 G|Infineon Technologies代理分销-IPI023NE7N3G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPP023NE7N3 G, IPI023NE7N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 120A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 273µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 206nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 14400pF @ 37.5V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI023NE7N3G SP000641732 |
