数据列表 | IPG20N06S3L-35 |
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产品相片 | 8-PowerTDFN |
产品变化通告 | Product Discontinuation 26/Nov/2010 |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 20A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 35 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 15µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1730pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 30W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) |
其它名称 | SP000396306 |