IPG20N06S2L-65,IPG20N06S2L-65|Infineon Technologies代理分销-IPG20N06S2L65原装现货,PDF下载
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IPG20N06S2L-65|Infineon Technologies
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IPG20N06S2L-65
制造商型号: IPG20N06S2L-65
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IPG20N06S2L-65
产品相片 8-PowerTDFN
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)65 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)410pF @ 25V
功率 - 最大值43W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
其它名称IPG20N06S2L65ATMA1
SP000613722

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