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IPD90N06S3L-07|Infineon Technologies
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IPD90N06S3L-07
制造商型号： IPD90N06S3L-07
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 7.1mOhms
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:+/- 16 V
漏极连续电流:90 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:7.4 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252
封装:Reel
下降时间:44 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:107 W
上升时间:42 ns
典型关闭延迟时间:43 ns
零件号别名:IPD90N06S3L07XT

手机网站相关详细信息：IPD90N06S3L-07
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