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IPD90N06S3-06
- MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms - IPD90N06S306
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IPD90N06S3-06
制造商型号:
IPD90N06S3-06
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
55 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
90 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
6 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 175 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252
封装:
Reel
下降时间:
73 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
136 W
上升时间:
60 ns
典型关闭延迟时间:
45 ns
零件号别名:
IPD90N06S306XT
手机网站相关详细信息:
IPD90N06S3-06
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
IPD90N06S3-06
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: IPD90N06S3-06 品牌: Infineon Technologies 备注: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms
*联系人:
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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