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IPD70N03S4L-04|Infineon TechnologiesIPD70N03S4L-04
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
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Infineon Technologies		MOSFET
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
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Infineon Technologies - IPD70N03S4L-04 - MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD70N03S4L-04
仓库库存编号：IPD70N03S4L-04CT-ND
别名：IPD70N03S4L-04CT <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IPD70N03S4L-04 - Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N03S4L-04, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
IPD70N03S4L-04
品牌：
Infineon
库存编号：
826-9070
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无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPD70N03S4L04
制造商型号： IPD70N03S4L04
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Infineon
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 16 V
漏极连续电流:70 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.3 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252
封装:Reel
下降时间:2 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:31 W
上升时间:2 ns
工厂包装数量:2500
典型关闭延迟时间:12 ns

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