数据列表 | IPD50P03P4L-11 |
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产品相片 | TO-252-3 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 10.5 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 85µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3770pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 58W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
产品目录页面 | 1616 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IPD50P03P4L-11-ND IPD50P03P4L-11INTR SP000396290 |