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| IPD50N04S3-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3 型号：IPD50N04S3-08 仓库库存编号：IPD50N04S308ATMA1CT-ND 别名：IPD50N04S3-08CT IPD50N04S3-08CT-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IPD50N04S3-08 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2350pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 产品目录页面 | 1616 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IPD50N04S3-08-ND IPD50N04S3-08TR IPD50N04S308 SP000261218 |
