IPD03N03LB G,IPD03N03LB G|Infineon Technologies代理分销-IPD03N03LBG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPD,IPS03N03LB G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 90A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.3 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 70µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 115W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD03N03LB G-ND IPD03N03LBGINTR IPD03N03LBGXT SP000016408 |
