| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB80N06S209ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPB80N06S209ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPB80N06S209ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPB80N06S209ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB80N06S209ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CHANNEL_55/60V
| 搜索 |
| IPB80N06S2-09 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB80N06S2-09 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB80N06S2-09) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB80N06S209ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB80N06S209ATMA2) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB80N06S209ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB80N06S209 Infineon Technologies | MOSFET MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IPB80N06S2-09 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB80N06S2-09 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB80N06S209 Infineon Technologies | MOSFET MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IPB80N06S2-09 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IPB80N06S2-09 品牌： Infineon 库存编号： 826-9011 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IPB,IPP80N06S2-09 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 125µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2360pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 190W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000218741 |
