| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB65R190CFD [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB65R190CFDA [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IPB65R190CFD [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB65R190CFD) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB65R190CFDAATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-263-3
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| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-263-3
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB65R190CFDAATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 650V 190 mOhm 68 nC CoolMOS? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IPB65R190CFDATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 650 V 190 mOhm 68 nC CoolMOS? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263 型号：IPB65R190CFD 仓库库存编号：IPB65R190CFDCT-ND 别名：IPB65R190CFDCT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB65R190CFD Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
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 | IPB65R190CFDA Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IPx65R190CFD |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 730µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 151W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263 |
| 其它名称 | IPB65R190CFD-ND IPB65R190CFDATMA1 SP000905378 |
