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IPB65R190CFD|Infineon Technologies
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IPB65R190CFD
制造商型号: IPB65R190CFD
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IPx65R190CFD
产品相片 TO-263
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)17.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1850pF @ 100V
功率 - 最大值151W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263
其它名称IPB65R190CFD-ND
IPB65R190CFDATMA1
SP000905378

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