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MOSFET N-CH 600V 30A TO263

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MOSFET N-CH 600V 30A TO263

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IPB60R125C6
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MOSFET N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB60R125C6)

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB60R125C6ATMA1)

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB60R125C6ATMA1)

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R125C6|INFINEONIPB60R125C6
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO263
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Infineon Technologies - IPB60R125C6 - MOSFET N-CH 600V 30A TO263		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2

型号：IPB60R125C6
仓库库存编号：IPB60R125C6CT-ND
别名：IPB60R125C6CT
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IPB60R125C6|Infineon TechnologiesIPB60R125C6
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 600V 30A TO263
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Infineon - IPB60R125C6 - Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
IPB60R125C6
品牌：
Infineon
库存编号：
898-6909
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IPB60R125C6|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPB60R125C6
制造商型号： IPB60R125C6
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO263
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO263
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 30A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 0.11ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 219W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 2
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 30A
  • 电压, Vgs 最高: 30V

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