IPB45P03P4L-11,IPB45P03P4L-11|Infineon Technologies-IPB45P03P4L11原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
IPB45P03P4L11ATMA1
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MOSFET P-CH TO263-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IPB45P03P4L-11
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MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2

RoHS: Compliant

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IPB45P03P4L11XT
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Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB45P03P4L11ATMA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IPB45P03P4L11ATMA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

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IPB45P03P4L11ATMA1
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IPB45P03P4L-11|Infineon TechnologiesIPB45P03P4L-11
Infineon Technologies		MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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Infineon - IPB45P03P4L-11 - Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB45P03P4L-11, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
IPB45P03P4L-11
品牌：
Infineon
库存编号：
857-8696
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IPB45P03P4L-11|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPB45P03P4L-11
制造商型号： IPB45P03P4L-11
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET P-Channel -30V MOSFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 30 V
闸/源击穿电压:5 V
漏极连续电流:- 45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:10.8 mOhms
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
封装:Reel
下降时间:14 ns
栅极电荷 Qg:42 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:58 W
上升时间:3 ns
系列:xPB45P03
典型关闭延迟时间:45 ns
零件号别名:IPB45P03P4L11ATMA1

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