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产品信息

制造商: Infineon

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 40 V

闸/源击穿电压: +/- 20 V

漏极连续电流: 180 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.6 mOhms

配置: Single Quint Source

最大工作温度: + 175 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263

下降时间: 18 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 300 W

上升时间: 19 ns

典型关闭延迟时间: 57 ns

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• 型号: IPB180N04S302 品牌: Infineon Technologies 备注: MOSFET

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