IPB180N04S3-02,IPB180N04S3-02|Infineon Technologies代理分销-IPB180N04S302原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPB180N04S3-02 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263-7, D2Pak |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 180A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 230µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 14300pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 产品目录页面 | 1617 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IPB180N04S3-02-ND IPB180N04S3-02TR IPB180N04S302 SP000254821 |
