IPB180N03S4L-01,IPB180N03S4L-01|Infineon Technologies代理分销-IPB180N03S4L01原装现货,PDF下载
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IPB180N03S4L-01|Infineon Technologies
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IPB180N03S4L-01
制造商型号: IPB180N03S4L-01
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IPB180N03S4L-01
产品相片 TO-263-7, D2Pak
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)180A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.05 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)239nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)17600pF @ 25V
功率 - 最大值188W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装PG-TO263-7-3
其它名称IPB180N03S4L01ATMA1
SP000555002

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