IPB110N06L G,IPB110N06L G|Infineon Technologies代理分销-IPB110N06LG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPB,IPP110N06L G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 78A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 78A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 94µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2700pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 158W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB110N06LG IPB110N06LGINCT |
