IPB083N10N3 G,IPB083N10N3 G|Infineon Technologies代理分销-IPB083N10N3G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IPx08xN10N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.3 毫欧 @ 73A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3G SP000458812 |
