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IPB04CNE8N G
制造商型号： IPB04CNE8N G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:85 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:100 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:3.9 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
封装:Reel
下降时间:25 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:300 W
上升时间:78 ns
典型关闭延迟时间:76 ns
零件号别名:IPB04CNE8NGXT

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