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IPB025N10N3 G|INFINEON
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IPB025N10N3 G
制造商型号： IPB025N10N3 G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 100V 180A TO263-7
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 100V 180A TO263-7
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 180A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 0.002ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.7V
  • 功耗, Pd: 300W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 7
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C

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