IPB025N10N3 G E8187,IPB025N10N3 G E8187|Infineon Technologies代理分销-IPB025N10N3GE8187原装现货,PDF下载
PDF查询| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2.5 毫欧 @ 100A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3.5V @ 275µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 206nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 14800pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 300W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-7, D²Pak (6 引线+接片), TO-263CB |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO263-7 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
