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IPB025N08N3GATMA1
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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

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IPB025N08N3 G
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MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N08N3G)

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IPB025N08N3 G
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N08N3 G)

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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB025N08N3GATMA1)

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IPB025N08N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N08N3GATMA1)

RoHS: Compliant

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IPB025N08N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB025N08N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB025N08N3GATMA1
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MOSFET, N CH, 120A, 80V, PG-TO263-3

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IPB025N08N3GATMA1
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Single N-Channel 80 V 2.5 mOhm 155 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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IPB025N08N3 G
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IPB025N08N3 G INFINEON 场效应管 MOSFET N沟道 120A 80V PG-TO263-3 查看库存、价格及货期
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IPB025N08N3 G|INFINEONIPB025N08N3 G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 120A 80V PG-TO263-3
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Infineon Technologies - IPB025N08N3 G - MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2

型号：IPB025N08N3 G
仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
别名：IPB025N08N3 GCT
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IPB025N08N3 G
制造商型号： IPB025N08N3 G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 120A 80V PG-TO263-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 120A 80V PG-TO263-3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 120A
  • 漏源电压, Vds: 80V
  • 在电阻RDS（上）: 2mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.8V
  • 功耗, Pd: 300W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 120A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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