| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB023N06N3%20G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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PDF查询| 数据列表 | IPB023N06N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263-7, D2Pak |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 140A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 141µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 198nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 16000pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 214W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 其它名称 | IPB023N06N3 G-ND SP000453048 |
