| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| HUF75639S3S [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS: Compliant | 搜索 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm RoHS: Compliant | 搜索 |
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| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | Unidentified RoHS: Compliant | 搜索 |
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| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: HUF75639S3ST) RoHS: Compliant | 搜索 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: HUF75639S3ST) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | FET 100V 25.0 MOHM D2PAK
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| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | FET 100V 25.0 MOHM D2PAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 100 V 0.025 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 100 V 0.025 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| HUF75639S3S [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| HUF75639S3ST [更多] | ON Semiconductor | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 56A, 200W, TO263AB, UltraFET?
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| HUF75639S3S | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：HUF75639S3ST 仓库库存编号：HUF75639S3STCT-ND 别名：HUF75639S3STCT <br> |  | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：HUF75639S3S 仓库库存编号：HUF75639S3S-ND | | 搜索 |
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 | HUF75639S3S Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | HUF75639G3, P3, S3, S3S |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UltraFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 56A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
