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| HUF75309T3ST [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| HUF75309T3ST | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4 型号：HUF75309T3ST 仓库库存编号：HUF75309T3ST-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | HUF75309T3ST |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 70 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 352pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
