HGTG5N120BND,HGTG5N120BND|Fairchild Semiconductor代理分销-HGTG5N120BND原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | HGTG5N120BND, HGTP5N120BND |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Plating Material 20/Dec/2007 |
| 标准包装 | 150 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 21A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| 功率 - 最大值 | 167W |
| Switching Energy | 450µJ (开), 390µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 53nC |
| Td (on/off) A 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 25 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 30ns |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | HGTG5N120BND-ND HGTG5N120BNDFS |
