HGTG30N60B3,HGTG30N60B3|Fairchild Semiconductor代理分销-HGTG30N60B3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | HGTG30N60B3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Plating Material 20/Dec/2007 |
| 标准包装 | 150 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
| 功率 - 最大值 | 208W |
| Switching Energy | 500µJ (开), 680µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (on/off) A 25°C | 36ns/137ns |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | HGTG30N60B3-ND HGTG30N60B3FS |
