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HGTG20N60B3_Q
制造商型号： HGTG20N60B3_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
技术参考：

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产品信息

制造商:

Fairchild Semiconductor

产品种类:

IGBT 晶体管

RoHS:

否

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

600 V

集电极—射极饱和电压:

1.8 V

栅极/发射极最大电压:

+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:

40 A

栅极—射极漏泄电流:

+/- 100 nA

功率耗散:

165 W

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

TO-247-3

封装:

Tube

集电极最大连续电流 Ic:

40 A

最小工作温度:

- 40 C

安装风格:

Through Hole

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