HGT1S20N36G3VL,HGT1S20N36G3VL|Fairchild Semiconductor代理分销-HGT1S20N36G3VL原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | HGTP,HGT1S20N36G3VL(S) |
|---|---|
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 395V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 5V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 37.7A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 逻辑 |
| Gate Charge | 28.7nC |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
