HBDM60V600W-7,HBDM60V600W-7|Diodes Inc代理分销-HBDM60V600W7原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | HBDM60V600W |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 |
| 其它图纸 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 16/Sept/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA，600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V，60V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | HBDM60V600W7 HBDM60V600WDITR |
