H11D3_Q,H11D3_Q|Fairchild Semiconductor代理分销-H11D3Q原装现货,PDF下载

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H11D3_Q
制造商型号： H11D3_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： 晶体管输出光电耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN
技术参考：

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产品信息

制造商:

Fairchild Semiconductor

RoHS:

否

输入类型:

最大集电极/发射极电压:

200 V

最大集电极/发射极饱和电压:

0.4 V

绝缘电压:

5300 Vrms

最大正向二极管电压:

1.5 V

最大输入二极管电流:

80 mA

最大集电极电流:

100 mA

最大功率耗散:

300 mW

最大工作温度:

+ 100 C

最小工作温度:

- 55 C

封装 / 箱体:

PDIP-6

封装:

Bulk

最大反向二极管电压:

6 V

每芯片的通道数量:

1 Channel

输出设备:

NPN Phototransistor

输出类型:

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