GT60M303(Q),GT60M303(Q)|Toshiba代理分销-GT60M303Q原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | GT60M303 |
|---|---|
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 900V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| 功率 - 最大值 | 170W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | 460ns/600ns |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | 700ns |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P（LH） |
