数据列表 | GT25Q102 |
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标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,25A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 25A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
功率 - 最大值 | 200W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | 300ns/680ns |
Test Condition | 600V, 25A, 43 欧姆 |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-3PL |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P(LH) |