GA04JT17-247,GA04JT17-247|GeneSiC Semiconductor代理分销-GA04JT17247原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | GA04JT17-247 |
|---|---|
| 产品相片 | GA04JT17-247 |
| 特色产品 | Silicon Carbide Transistor |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | * |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1700V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A （Tc） （95°C |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 91W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
| 其它名称 | 1242-1134 GA04JT17247 |
