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FW808-TL-E
- 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96 - FW808TLE
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FW808-TL-E
制造商型号:
FW808-TL-E
制造商:
SANYO
描述:
场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 8A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 22mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2.6V
功耗, Pd: 2.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-96
针脚数: 8
功耗, Pd: 2.5W
封装/箱盒: SOT-96
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 开关
模块配置: 双
漏极电流, Id 最大值: 8A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 20V
表面安装器件: SMD
手机网站相关详细信息:
FW808-TL-E
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
FW808-TL-E
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息: 暂无相关型号
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型号: FW808-TL-E 品牌: SANYO 备注: 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
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Q Q:
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