FW231A-TL-E,FW231A-TL-E|SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation-FW231ATLE原装现货,PDF下载
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FW213-TL-E
库存编号:2156-FW213-TL-E-ND
Rochester Electronics LLCPNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON0
398起订
398+
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FW213-TL-E
库存编号:86110057
SANYO Semiconductor Co LtdFW213-TL-E8000
413起订
413+
500+
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¥12.19
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ON Semiconductor

MOSFET

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FW231A-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP 查看库存、价格及货期
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SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - FW231A-TL-E - MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 2.3W Surface Mount 8-SOP

型号:FW231A-TL-E
仓库库存编号:869-1165-1-ND
别名:869-1165-1 <br>
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FW231A-TL-E|SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
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FW231A-TL-E
制造商型号: FW231A-TL-E
制造商: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述: MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 FW231A
产品相片 8-SOP
产品目录绘图 SOP8 Package - N, N/P & Dual-N Channel Top
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)23 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1530pF @ 10V
功率 - 最大值2.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
产品目录页面1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称869-1165-2

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