FQU3N50CTU,FQU3N50CTU|Fairchild Semiconductor-FQU3N50CTU原装现货,PDF下载
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

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ON Semiconductor

MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail - Rail/Tube (Alt: FQU3N50CTU)

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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail (Alt: FQU3N50CTU)

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ON Semiconductor

N-Channel 500 V 2.5 O Through Hole QFET Mosfet - IPAK

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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - FQU3N50CTU - MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) I-Pak

型号:FQU3N50CTU
仓库库存编号:FQU3N50CTU-ND
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FQU3N50CTU|Fairchild Semiconductor
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FQU3N50CTU
制造商型号: FQU3N50CTU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 FQD3N50C, FQU3N50C
产品相片 DPAK_369D?01
PCN Design/Specification Passivation Material 14/May/2008
标准包装  70
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.5 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)365pF @ 25V
功率 - 最大值35W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-Pak

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