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| FQU2N50BTU-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FQU2N50BTU_WS | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak 型号：FQU2N50BTU_WS 仓库库存编号：FQU2N50BTU_WS-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | FQU2N50BTU_WS Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | Fairchild Product Catalog |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 标准包装 | 70 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.3 欧姆 @ 800mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
