| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQPF8N60CFT [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQPF8N60C [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQPF8N60C [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FQPF8N60C) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQPF8N60CFT [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6.26A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FQPF8N60CFT) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQPF8N60 | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，600V，7.5A，TO220F | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F 详细描述：通孔 N 沟道 6.26A（Tc） 48W（Tc） TO-220F 型号：FQPF8N60CFT 仓库库存编号：FQPF8N60CFT-ND |  | 搜索 |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F 型号：FQPF8N60C 仓库库存编号：FQPF8N60C-ND | | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F 型号：FQPF8N60CT 仓库库存编号：FQPF8N60CT-ND | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQPF8N60 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，600V，7.5A，TO220F 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FQPF8N60C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F | 查价格库存 查看详细 |
| FQPF8N60CF FAIRCHILD | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 81 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 965 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 48000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 高度 | 9.19mm |
