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FQP6N90C_Q
制造商型号： FQP6N90C_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:900 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:2.3 Ohms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:60 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:167 W
上升时间:90 ns
典型关闭延迟时间:55 ns

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