| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQP16N25 | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，250V，15.6A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3 型号：FQP16N25 仓库库存编号：FQP16N25FS-ND 别名：FQP16N25-ND <br>FQP16N25FS <br> |  | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 250V 15.6A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3 型号：FQP16N25C 仓库库存编号：FQP16N25C-ND | 无铅 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： FQP16N25 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 807-5869 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQP16N25 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| FQP16N25C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQP16N25 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，250V，15.6A，TO220AB | 查价格库存 查看详细 |
| FQP16N25C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
 | FQP16N25C_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQP16N25C_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| FQP16N25C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| FQP16N25 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，250V，15.6A，TO220AB | 查价格库存 查看详细 |
| 典型关断延迟时间 | 135 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 41 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 830 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220，TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 139000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.27 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 15.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 9.4mm |
