| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQP13N06L [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FQP13N06L) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQP13N06 | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，60V，13.6A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3 型号：FQP13N06 仓库库存编号：FQP13N06-ND | 无铅 | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3 型号：FQP13N06L 仓库库存编号：FQP13N06L-ND |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQP13N06 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，60V，13.6A，TO220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | FQP13N06L FAIRCHILD | FQP13N06L 系列 60 V 0.11 Ohm 通孔 逻辑电平 N沟道 Mosfet - TO-220-3 | 查价格库存 查看详细 |
 | FQP13N06L_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
FQP13N06L | 2453437 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： FQP13N06L 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-5014 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQP13N06 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| FQP13N06L Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| FQP13N06 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，60V，13.6A，TO220AB | 查价格库存 查看详细 |
 | FQP13N06L_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| FQP13N06L FAIRCHILD | FQP13N06L 系列 60 V 0.11 Ohm 通孔 逻辑电平 N沟道 Mosfet - TO-220-3 | 查价格库存 查看详细 |
| FQP13N06L Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.8 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220，TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 45000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.11 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 13.6 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 9.4mm |
