FQI9N25CTU,FQI9N25CTU|Fairchild Semiconductor代理分销-FQI9N25CTU原装现货,PDF下载
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| FQI9N25CTU [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQI9N25CTU [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| FQI9N25CTU | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK 详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.8A（Tc） 3.13W（Ta），74W（Tc） I2PAK（TO-262） 型号：FQI9N25CTU 仓库库存编号：FQI9N25CTU-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | FQB9N25C, FQI9N25C |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.8A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 430 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.13W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
