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FQD4N25TM_WS
- FQD4N25 系列 250 V 1.75 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252-3 - FQD4N25TMWS
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQD4N25TM_WS
制造商型号:
FQD4N25TM_WS
制造商:
FAIRCHILD
描述:
FQD4N25 系列 250 V 1.75 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252-3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
250 V
Drain-Source On Resistance-Max:
1.75 Ω
Qg Gate Charge:
5.6 nC
Rated Power Dissipation:
2.5 W
手机网站相关详细信息:
FQD4N25TM_WS
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: FQD4N25TM_WS 品牌: FAIRCHILD 备注: FQD4N25 系列 250 V 1.75 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252-3
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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