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FQB9P25TM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQB9P25TM) RoHS: Compliant | 搜索 |
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FQB9P25TM | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FQB9P25TM 仓库库存编号:FQB9P25TMCT-ND 别名:FQB9P25TMCT | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | FQB9P25, FQI9P25 D2-PAK Tape and Reel Data |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9.4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 620 毫欧 @ 4.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1180pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |