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| FQB9P25TM | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQB9P25TM Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 9.4A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FQB9P25TM 仓库库存编号：FQB9P25TMCT-ND 别名：FQB9P25TMCT | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | FQB9P25, FQI9P25 D2-PAK Tape and Reel Data |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 620 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.13W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
