型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQA17P10 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P | 查看库存、价格及货期 |
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FQA17P10 Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P | 查价格库存 查看详细 |
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Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P 详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 120W(Tc) TO-3P 型号:FQA17P10 仓库库存编号:FQA17P10-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | FQA17P10 |
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产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
标准包装 | 450 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 18A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 190 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 120W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P |