标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 75V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 200A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.1 毫欧 @ 200A, 15V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 7.3V @ 20mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 1100nC @ 15V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 75000pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 650W |
安装类型 : | 底座安装 |
封装/外壳 : | 模块 |
供应商设备封装 : | 模块 |
包装 : | 散装 |